九州工業大学大学院

情報工学研究院 物理情報工学研究系

電子材料研究室

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FeSi2

鉄シリサイド(β-FeSi2)を中心とした,シリサイド系半導体材料の研究を行っています.
β-FeSi2は構成元素が地殻に豊富に存在し,有害元素を含まないことから,環境にやさしい光半導体材料として期待されています.
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Ru2Si3

Ru2Si3は、FeSi2より高温での安定性が高く、優れた電気伝導性と耐酸化性を持つため、FeSi2の置換材料として有望です
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Bi2Se3

トポロジカル絶縁体Bi2Se3(ビスマスセレナイド)は内部は絶縁体でありながら、表面では電気を通す特性を持つ物質です。
この特性により、トポロジカル絶縁体は次世代の低消費電力デバイスや量子コンピュータの材料として期待されています。
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AlN

AlN (窒化アルミニウム) は、高い機械的強度と優れた熱伝導率を持つため、圧電材料として優れた性能を発揮します。
さらに、高温環境でも安定して動作するため、幅広い応用が可能です。
また、他の圧電材料に比べて環境への影響が少なく、エコフレンドリーな特長があります。
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